HXY MOSFET HXY5N10MI

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOT-23-3L
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	650pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	20nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	5A
Rückübertragungskapazität (Crss)	20pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	1.5W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	120mΩ@4.5V,3A

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