HXY MOSFET HXY3N10AI

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	SOT-23
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	711pF@25V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	13.6nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	3A
Rückübertragungskapazität (Crss)	23pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	1W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	248mΩ@10V,1A

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