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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P55K

Numéro de pièce du fabricant:

NCE60P55K

Fabricant:

Wuxi NCE Power Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-252-2

Fiche technique:

NCE60P55K

Description:

60V 55A 28mΩ@10V,20A 110W 2.6V 1 piece P-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi NCE Power Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-252-2
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	16.8pF@30V
Type	1 piece P-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2.6V
Charge de grille (Qg)	49.8nC@10V
Courant de drain continu (Id)	55A
Capacité de transfert inverse (Crss)	126pF
Tension Drain-Source (Vdss)	60V
Pd - Puissance dissipée	110W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	28mΩ@10V,20A

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