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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T2K4I

Numéro de pièce du fabricant:

NCE65T2K4I

Fabricant:

Wuxi NCE Power Semiconductor

Emballage/Boîte:

TO-251

Fiche technique:

NCE65T2K4I

Description:

650V 2A 2.2Ω@10V,1A 21W 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi NCE Power Semiconductor
Emballage/Boîte	TO-251
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	120pF@50V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	3.5V
Charge de grille (Qg)	3.5nC@10V
Courant de drain continu (Id)	2A
Capacité de transfert inverse (Crss)	0.2pF@50V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	21W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	2.2Ω@10V,1A

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