onsemi NZT660

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	onsemi
Emballage/Boîte	SOT-223-4
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Fréquence de transition (fT)	75MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	60V
DC Current Gain	100@500mA,2V
Courant de collecteur (Ic)	3A
Tension de saturation VCE(sat)	550mV
Type de transistor	PNP
Pd - Puissance dissipée	2W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	100nA

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